التلف الحاصل للخلايا الشمسية نتيجة تعريضها للتشعيع بالإلكترونات

Degradation of GaAs Solar Cells Induced By Electron Irradiation

20   0   0   0.0 ( 0 )
 تاريخ النشر 2018
 تمت اﻹضافة من قبل شمرا

يتناول هذا البحث التلف الحاصل للخلايا الشمسية نتيجةً لتعرضها للتشعيع بالإلكترونات. قمنا بتعريض هذه الخلايا لحزم من الإلكترونات ذات تدفق متغير لخلق عيوب فيها تلعب دوراً أساسياً كمراكز إعادة اتحاد غير مشعة (non-radiative recombination centers (. وسعينا لخلق نفس الظروف التي تتعرض لها الخلية الشمسية في الفضاء الخارجي, ثم درسنا التغيرات التي تطرأ على الخصائص الفولطية الضوئية لهذه الخلايا. بينت القياسات أن جهد الدارة المفتوحة لخلية شمسية GaAs يتغير بتابعية جرعة التشعيع الإلكتروني والتي تقع ضمن المجال: 2x1012elec.cm-2 < < 5x1015 elec.cm-2 ووجدنا أنه يساوي: Voc = 1.22-0.04 log V Voc = 2.39-0.12 log V لكل من منطقتي الانتشار وإعادة الاتحاد على الترتيب. وقد وجدنا أن كثافة تيار الدارة المقصورة Jsc تتغير مع تغير جرعة التشعيع الإلكتروني وفق العلاقة: mA.cm-2 Jsc =62.47-3.45 log يظهر تلف الخلايا الشمسية التي درسناها في تناقص الاستطاعة العظمى لها نتيجة تزايد . تم إجراء القياسات في مختبر الأوساط غير المنتظمة واللامتجانسة, جامعة بيير وماري كوري (باريس VI) فرنسا عام 2002, 2001

المراجع المستخدمة
YAMAGUCHI,M.et al.1997 – Superior radiation –resistant properties of InGaP/GaAs tandem solar cells. Appℓ. Phys. Lett. Vol.70,No.12 pp1566-1568
قيم البحث
أعلن في شمرا
التعليقات
جاري جلب التعليقات جاري جلب التعليقات